物联网安c)黑暗下以及442nm激光照射下的对数I–V曲线。
因此，热点使用合适的材料和后处理过程来实现可以最大化电荷产生和提取的理想形态，是提高器件效率的重要途径。尽管最近有一些成功的实践和报道，物联网安但如何在复杂动力学平衡的指导下操纵多组分共混物的形貌，物联网安以最大光生电流并减少不同来源的电压损耗通道，这一基本挑战远未得到满足。
热点e,二元和三元BHJ薄膜的RSoXS散射图。图.3电荷的产生，物联网安提取和复合a、原始供体、NFA和共混膜的光致发光光谱。热点f,二元和三元器件的EQE和积分Jsc。
c、物联网安混合器件EQEEL图.5PCEmax和Eloss.的形貌说明和比较a、三元膜中的分级形貌以及主要的电荷产生和传输过程。热点TOPV的性能在很大程度上依赖于能够形成匹配的电子结构和合适的微观形貌的材料组合来产生和传输电荷。
物联网安c,BTR,NITI和PC71BM归一化的薄膜吸收。
热点d,标准入射光强(AM1.5G,100mWcm−2)下二元和三元器件的电流-电压特性。互联网时代，物联网安成本比毛利率更重要，现金流比利润重要，核心说的就是效率。
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